隨著以太網(wǎng)速率的不斷提高，各種寄生參數(shù)特性對電氣性能存在不容忽視的影響，因此，以太網(wǎng)的電磁兼容（EMC）和防護(hù)設(shè)計(jì)成為設(shè)備功能能否實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵。EMC和防護(hù)設(shè)計(jì)介入產(chǎn)品設(shè)計(jì)的時(shí)間越早，成本也就越低。廢話不多，小編最喜歡做的事情就是將
踏歌電子FAE工程師們的經(jīng)驗(yàn)都分享給大家，本篇以太網(wǎng)口雷擊浪涌防護(hù)方案分享是難得一見的實(shí)用干貨，值得收藏。
以太網(wǎng)防護(hù)方案的設(shè)計(jì)需要考慮到雷擊浪涌以及陶瓷放電管一級防護(hù)之后的殘壓，因此一般會(huì)采用GDT在變壓器前端做共模 （八線）浪涌防護(hù)；并選擇結(jié)電容低、反應(yīng)時(shí)間快，兼顧防護(hù)靜電功能的
TVS管吸收差模能量。
百兆以太網(wǎng)防護(hù)方案（一）
防護(hù)電路圖：
使用踏歌電子器件：
陶瓷氣體放電管：
GDT【UN1206-200ASMD】 直流標(biāo)稱電壓200±30%V，沖擊電流（8/20μs）0.5KA，電容值＜0.5pF，電阻＞100MΩ。
GDT【UN1812-90CSMD】 直流標(biāo)稱電壓90±20%V，沖擊電流（8/20μs）2.0KA，電容值＜1.0pF，電阻＞1GΩ。
瞬態(tài)抑制二極管TVS管:
TVS【SLUV2.8-4】 Vrwm：2.8V，Vb：3.0V，防靜電能力（接觸/空氣）：8KV/15KV，結(jié)電容（f=1MHz）：2.0pF，封裝：SO-08。
百兆以太網(wǎng)防護(hù)方案（二）
防護(hù)電路圖：
使用踏歌電子器件：
陶瓷氣體放電管：
GDT【UN1206-200ASMD】直流標(biāo)稱電壓200±30%V，沖擊電流（8/20μs）0.5KA，電容值＜0.5pF，電阻＞100MΩ。
GDT【UN1812-90CSMD】直流標(biāo)稱電壓90±20%V，沖擊電流（8/20μs）2.0KA，電容值＜1.0pF，電阻＞1GΩ。
瞬態(tài)抑制二極管TVS管:
TVS【ESD03V32D-LC】Vrwm：3.0V，Vb：4.0V，防靜電能力（接觸/空氣）：8KV/15KV，結(jié)電容（f=1MHz）：1.2pF，封裝：SOD-323。
千兆以太網(wǎng)防護(hù)方案（一）
防護(hù)電路圖：
使用踏歌電子器件：
陶瓷氣體放電管：
GDT【UN1206-200ASMD】直流標(biāo)稱電壓200±30%V，沖擊電流（8/20μs）0.5KA，電容值＜0.5pF，電阻＞100MΩ
GDT【UN1812-90CSMD】直流標(biāo)稱電壓90±20%V，沖擊電流（8/20μs）2.0KA，電容值＜1.0pF，電阻＞1GΩ。
瞬態(tài)抑制二極管：
TVS【SLUV2.5-8】Vrwm：2.V，Vb：3.0V，防靜電能力（接觸/空氣）：30KV/30KV，結(jié)電容（f=1MHz）：3.0pF，封裝：SOP-08，超低漏電流
千兆以太網(wǎng)防護(hù)方案（二）
防護(hù)電路圖：
使用踏歌踏歌電子器件：
陶瓷氣體放電管：
GDT【UN1206-200ASMD】直流標(biāo)稱電壓200±30%V，沖擊電流（8/20μs）0.5KA，電容值＜0.5pF，電阻＞100MΩ
GDT【UN1812-90CSMD】直流標(biāo)稱電壓90±20%V，沖擊電流（8/20μs）2.0KA，電容值＜1.0pF，電阻＞1GΩ。
瞬態(tài)抑制二極管：
TVS【ESD03V32D-LC】Vrwm：3.0V，Vb：4.0V，防靜電能力（接觸/空氣）：8KV/15KV，結(jié)電容（f=1MHz）：1.2pF，封裝：SOD-323。
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